Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法 | |
| 其他题名 | 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法 |
张玉龙; 张保平; 罗仲梓; 蒋书森; 张艳 ; 谷丹丹; 张春权; 李燕飞
| |
| 2012-05-23 | |
| 专利权人 | 厦门大学 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。 |
| 其他摘要 | 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。 |
| 授权日期 | 2012-05-23 |
| 申请日期 | 2009-09-04 |
| 专利号 | CN101667561B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200910112478.2 |
| 公开（公告）号 | CN101667561B |
| IPC 分类号 | H01L23/427 | H01L23/367 | H01L21/48 | H01L21/50 |
| 专利代理人 | 马应森 |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39231 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张玉龙,张保平,罗仲梓,等. 硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法. CN101667561B[P]. 2012-05-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN101667561B.PDF（558KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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