半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器

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	半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器
其他题名	半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器
	卢飞星; 闵大勇
	2012-12-12
专利权人	华工科技产业股份有限公司
公开日期	2012-12-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器。第一泵浦源LD与第一耦合聚焦系统之间、第二泵浦源LD与第二耦合聚焦系统之间分别通过光纤连接；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统输出的激光分别入射到所述增益介质；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统与增益介质之间分别设有第一折反镜和第二折反镜；第一折反镜的反射光路上设有热透镜补偿全反镜；第二折反镜的反射光路上设有调Q开关和全反镜；增益介质外侧设有第一温度控制装置和第二温度控制装置，分别用于控制与增益介质的a轴垂直的所有表面和与增益介质的c轴垂直的所有表面的温度。本发明的激光器功率大、效率高且发出的光束质量优良。
其他摘要	本发明公开了一种半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器。第一泵浦源LD与第一耦合聚焦系统之间、第二泵浦源LD与第二耦合聚焦系统之间分别通过光纤连接；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统输出的激光分别入射到所述增益介质；第一耦合聚焦系统和第二耦合聚焦系统与增益介质之间分别设有第一折反镜和第二折反镜；第一折反镜的反射光路上设有热透镜补偿全反镜；第二折反镜的反射光路上设有调Q开关和全反镜；增益介质外侧设有第一温度控制装置和第二温度控制装置，分别用于控制与增益介质的a轴垂直的所有表面和与增益介质的c轴垂直的所有表面的温度。本发明的激光器功率大、效率高且发出的光束质量优良。
授权日期	2012-12-12
申请日期	2009-05-06
专利号	CN101882750B
专利状态	授权
申请号	CN200910136518.7
公开（公告）号	CN101882750B
IPC 分类号	H01S3/14 \| H01S3/16 \| H01S3/10 \| H01S3/101 \| H01S3/11 \| H01S3/042 \| H01S3/081 \| H01S3/09
专利代理人	黄挺
代理机构	北京汇泽知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39219
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华工科技产业股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	卢飞星,闵大勇. 半导体端面泵浦高功率单模风冷激光器. CN101882750B[P]. 2012-12-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101882750B.PDF（305KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文