化合物半导体元件的封装模块结构及其制造方法

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	化合物半导体元件的封装模块结构及其制造方法
其他题名	化合物半导体元件的封装模块结构及其制造方法
	曾文良; 陈隆欣; 郭子毅
	2011-12-21
专利权人	展晶科技(深圳)有限公司
公开日期	2011-12-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开一种化合物半导体元件的封装模块结构，其包含一散热薄层、一介电层、多个化合物半导体裸片、一将该半导体裸片固接于该散热薄层的手段以及一透明胶材。散热薄层为连续层。所述介电层包含多个开口，形成于该散热薄层上。多个化合物半导体裸片位于该介电层的多个开口中的散热薄层上，且相邻的两化合物半导体裸片由该介电层分隔。透明胶材包覆所述多个化合物半导体裸片。除了提供薄型化的应用外，本发明的化合物半导体封装模块结构的整个下表面均为散热薄层，可有效逸散化合物半导体元件所发出的热，增加散热速率，进而增加化合物半导体的亮度、热稳定度及使用寿命。
其他摘要	本发明公开一种化合物半导体元件的封装模块结构，其包含一散热薄层、一介电层、多个化合物半导体裸片、一将该半导体裸片固接于该散热薄层的手段以及一透明胶材。散热薄层为连续层。所述介电层包含多个开口，形成于该散热薄层上。多个化合物半导体裸片位于该介电层的多个开口中的散热薄层上，且相邻的两化合物半导体裸片由该介电层分隔。透明胶材包覆所述多个化合物半导体裸片。除了提供薄型化的应用外，本发明的化合物半导体封装模块结构的整个下表面均为散热薄层，可有效逸散化合物半导体元件所发出的热，增加散热速率，进而增加化合物半导体的亮度、热稳定度及使用寿命。
授权日期	2011-12-21
申请日期	2008-10-29
专利号	CN101728370B
专利状态	授权
申请号	CN200810173837.0
公开（公告）号	CN101728370B
IPC 分类号	H01L25/00 \| H01L23/367 \| H01L23/31 \| H01L21/50 \| H01L21/60 \| H01L21/56
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39199
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	展晶科技(深圳)有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	曾文良,陈隆欣,郭子毅. 化合物半导体元件的封装模块结构及其制造方法. CN101728370B[P]. 2011-12-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101728370B.PDF（559KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文