Encased semiconductor laser device in contact with a fluid and method of producing the laser device

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	Encased semiconductor laser device in contact with a fluid and method of producing the laser device
其他题名	Encased semiconductor laser device in contact with a fluid and method of producing the laser device
	TAKAGI, KAZUHISA
	2002-05-28
专利权人	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
公开日期	2002-05-28
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	At least part of the waveguide of a laser, the waveguide including a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer of a second conductivity type, and, for a ridge type laser, a ridge in the second cladding layer, has a width such that light leaks from the side walls of the waveguide. A case encloses the side walls of the waveguide and a fluid having a refractive index is sealed in the case in contact with the side walls of the waveguide. A characteristic of the laser can be adjusted easily. Therefore a laser having a uniform characteristic can be provided at a low cost. This laser is useful as a light source for wavelength multiplex transmission used for optical transmission, of a main line system, such as a submarine cable.
其他摘要	激光波导的至少一部分，波导包括第一包层，有源层和第二导电类型的第二包层，并且对于脊型激光，第二包层中的脊，具有宽度使得光从波导的侧壁泄漏。壳体包围波导的侧壁，并且具有折射率的流体在壳体中密封，与波导的侧壁接触。可以容易地调节激光器的特性。因此，可以以低成本提供具有均匀特性的激光器。该激光器可用作主线系统（例如海底电缆）用于光传输的波长多路复用传输的光源。
授权日期	2002-05-28
申请日期	2000-06-13
专利号	US6396854
专利状态	失效
申请号	US09/581423
公开（公告）号	US6396854
IPC 分类号	H01S5/024 \| H01S5/00 \| H01S5/022 \| H01S5/227 \| H01S3/10
专利代理人	-
代理机构	LEYDIG,VOIT & MAYER,LTD.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/39080
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKAGI, KAZUHISA. Encased semiconductor laser device in contact with a fluid and method of producing the laser device. US6396854[P]. 2002-05-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6396854.PDF（948KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文