一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器
其他题名	一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器
	张保平; 许荣彬; 梅洋; 应磊莹; 郑志威
	2019-09-20
专利权人	厦门大学
公开日期	2019-09-20
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
其他摘要	一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
授权日期	2019-09-20
申请日期	2017-05-10
专利号	CN107123928B
专利状态	授权
申请号	CN201710326448.6
公开（公告）号	CN107123928B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	马应森
代理机构	厦门南强之路专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38914
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张保平,许荣彬,梅洋,等. 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器. CN107123928B[P]. 2019-09-20.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107123928B.PDF（354KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文