Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器 |
| 华俊 | |
| 2019-09-17 | |
| 专利权人 | 西安欧益光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-09-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器，包括激光模块(1)和热沉模块(2)，热沉模块(2)包括热沉主体(21)，设置于热沉主体(21)下端的左右两侧的进水孔(22)、出水孔(23)，设置在热沉主体(21)中部，用于分隔进水孔(22)、出水孔(23)的隔板(24)，隔板(24)下端与热沉主体(21)密封连接，隔板(24)上端与热沉主体(21)顶部存在间隙，用于形成水通道。本实用新型提供的宏通道垂直腔面发射半导体激光器设计了一种新的热沉结构，提高激光器散热效率，外形小巧，结构简单。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器，包括激光模块(1)和热沉模块(2)，热沉模块(2)包括热沉主体(21)，设置于热沉主体(21)下端的左右两侧的进水孔(22)、出水孔(23)，设置在热沉主体(21)中部，用于分隔进水孔(22)、出水孔(23)的隔板(24)，隔板(24)下端与热沉主体(21)密封连接，隔板(24)上端与热沉主体(21)顶部存在间隙，用于形成水通道。本实用新型提供的宏通道垂直腔面发射半导体激光器设计了一种新的热沉结构，提高激光器散热效率，外形小巧，结构简单。 |
| 授权日期 | 2019-09-17 |
| 申请日期 | 2019-01-10 |
| 专利号 | CN209401977U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201920037365.X |
| 公开（公告）号 | CN209401977U |
| IPC 分类号 | H01S5/024 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 王辉 |
| 代理机构 | 北京巨弘知识产权代理事务所(普通合伙) |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38908 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安欧益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 华俊. 一种宏通道垂直腔面发射半导体激光器. CN209401977U[P]. 2019-09-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN209401977U.PDF（286KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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