一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片

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	一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片
其他题名	一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片
	顾宁宁; 开北超; 于果蕾; 徐现刚; 郑兆河
	2019-09-10
专利权人	潍坊华光光电子有限公司
公开日期	2019-09-10
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，属于半导体激光器散热领域，包括相互交错分布的多片第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片和第二制冷片均为片状结构，且均设置有通水区和芯片焊接区，所述第一制冷片和第二制冷片均包括上表面和下表面，所述上表面在所述通水区内设置有进水孔，所述下表面设置有与所述进水孔相对应的出水孔，进水口和出水孔贯通形成从上表面到下表面的通孔，所述第一制冷片的进水孔位于通水区内远离芯片焊接区的一端，所述第二制冷片的进水孔位于通水区内靠近芯片焊接区的一端。本实用新型结构简单、散热面积大、散热效果好。
其他摘要	本实用新型涉及一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片，属于半导体激光器散热领域，包括相互交错分布的多片第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片和第二制冷片均为片状结构，且均设置有通水区和芯片焊接区，所述第一制冷片和第二制冷片均包括上表面和下表面，所述上表面在所述通水区内设置有进水孔，所述下表面设置有与所述进水孔相对应的出水孔，进水口和出水孔贯通形成从上表面到下表面的通孔，所述第一制冷片的进水孔位于通水区内远离芯片焊接区的一端，所述第二制冷片的进水孔位于通水区内靠近芯片焊接区的一端。本实用新型结构简单、散热面积大、散热效果好。
授权日期	2019-09-10
申请日期	2019-02-26
专利号	CN209374882U
专利状态	授权
申请号	CN201920238579.3
公开（公告）号	CN209374882U
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	陈桂玲
代理机构	济南金迪知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38896
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	潍坊华光光电子有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	顾宁宁,开北超,于果蕾,等. 一种用于高功率半导体激光器的宏通道液体制冷片. CN209374882U[P]. 2019-09-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN209374882U.PDF（559KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文