制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器

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	制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器
其他题名	制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器
	王璐; 王珈; 吴德馨
	2019-09-03
专利权人	北京嘉圣光通科技有限公司
公开日期	2019-09-03
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本申请提供一种制作VCSEL的方法及VCSEL。包括：在衬底上表面外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一DBR；在第一DBR上外延生长第一限制层；在第一限制层上外延生长量子阱有源层；在量子阱有源层上外延生长第二限制层；在第二限制层上外延生长第二DBR；在第二DBR上外延生长复合接触层；在复合接触层上淀积绝缘介质掩模层；在绝缘介质掩模层上光刻台面图案并刻蚀形成台面；淀积绝缘介质掩模层并刻蚀，形成侧墙；采用各向同性进行部分侧向腐蚀，形成通光孔；应力消除以及平坦化处理；在台面上表面制作第一电极接触层；对衬底背面进行减薄处理；在减薄后的背面制作第二电极接触层。如此，可提升VCSEL的合格率，降低生产VCSEL的成本。
其他摘要	本申请提供一种制作VCSEL的方法及VCSEL。包括：在衬底上表面外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一DBR；在第一DBR上外延生长第一限制层；在第一限制层上外延生长量子阱有源层；在量子阱有源层上外延生长第二限制层；在第二限制层上外延生长第二DBR；在第二DBR上外延生长复合接触层；在复合接触层上淀积绝缘介质掩模层；在绝缘介质掩模层上光刻台面图案并刻蚀形成台面；淀积绝缘介质掩模层并刻蚀，形成侧墙；采用各向同性进行部分侧向腐蚀，形成通光孔；应力消除以及平坦化处理；在台面上表面制作第一电极接触层；对衬底背面进行减薄处理；在减薄后的背面制作第二电极接触层。如此，可提升VCSEL的合格率，降低生产VCSEL的成本。
授权日期	2019-09-03
申请日期	2018-06-08
专利号	CN108736316B
专利状态	授权
申请号	CN201810587773
公开（公告）号	CN108736316B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/34
专利代理人	戈丰
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38889
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京嘉圣光通科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	王璐,王珈,吴德馨. 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器. CN108736316B[P]. 2019-09-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108736316B.PDF（590KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文