Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种VCSEL阵列结构 | |
| 其他题名 | 一种VCSEL阵列结构 |
| 彭钰仁; 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽 | |
| 2019-08-30 | |
| 专利权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-30 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露单元，每个所述裸露单元包括依次层叠设置的所述第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个与所述沟槽连通的氧化孔，所述氧化孔自所述沟槽延伸至所述蚀刻截止层以暴露出所述氧化层。通过设置蚀刻截止层将蚀刻有效截止在氧化层，既确保了氧化充分，又有效避免了因有源层外露导致的失效、老化等问题。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露单元，每个所述裸露单元包括依次层叠设置的所述第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个与所述沟槽连通的氧化孔，所述氧化孔自所述沟槽延伸至所述蚀刻截止层以暴露出所述氧化层。通过设置蚀刻截止层将蚀刻有效截止在氧化层，既确保了氧化充分，又有效避免了因有源层外露导致的失效、老化等问题。 |
| 授权日期 | 2019-08-30 |
| 申请日期 | 2019-03-01 |
| 专利号 | CN209329393U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201920262266.1 |
| 公开（公告）号 | CN209329393U |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38886 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,赵炆兼,等. 一种VCSEL阵列结构. CN209329393U[P]. 2019-08-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN209329393U.PDF（466KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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