Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种具有ODR的倒装VCSEL芯片 | |
| 其他题名 | 一种具有ODR的倒装VCSEL芯片 |
| 贾钊; 赵炆兼; 郭冠军; 曹广亮; 赵丽 | |
| 2019-08-06 | |
| 专利权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-08-06 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本实用新型通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。 |
| 其他摘要 | 本实用新型提供一种具有ODR的倒装VCSEL芯片，包括：导电层；设置于所述导电层上的金属反射层；分别设置于所述金属反射层远离所述导电层一侧的欧姆接触层和绝缘层，所述绝缘层环绕所述欧姆接触层分布；设置于所述欧姆接触层和所述绝缘层远离所述金属反射层一侧的第一DBR层；设置于所述第一DBR层远离所述欧姆接触层和所述绝缘层一侧的有源层；设置于所述有源层远离所述第一DBR层一侧的第二DBR层；以及设置于所述第二DNR层远离所述有源层一侧的电极。本实用新型通过欧姆接触层限制电流，绝缘层和金属反射层构成ODR结构实现全反射，不受氧化层限制、散热性好，并且制作工艺简单。 |
| 授权日期 | 2019-08-06 |
| 申请日期 | 2019-01-30 |
| 专利号 | CN209217431U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201920164730.3 |
| 公开（公告）号 | CN209217431U |
| IPC 分类号 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38818 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾钊,赵炆兼,郭冠军,等. 一种具有ODR的倒装VCSEL芯片. CN209217431U[P]. 2019-08-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN209217431U.PDF（725KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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