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一种基于MgO:LN晶体预偏置电光调Q全固态激光器
其他题名一种基于MgO:LN晶体预偏置电光调Q全固态激光器
卢一鑫; 成桢; 杨森林; 付福兴; 赵小侠; 王红英
2019-08-02
专利权人西安文理学院
公开日期2019-08-02
授权国家中国
专利类型实用新型
摘要本实用新型公开了一种基于MgO:LN晶体预偏置电光调Q全固态激光器,包括全反射镜(1)、电光晶体(2)、偏振片(3)、激光晶体(4)、输出镜(5)、同步延迟器(6)、信号发生器(7);所述全反射镜(1)、电光晶体(2)、偏振片(3)、激光晶体(4)、输出镜(5)依次设置,所述同步延迟器(6)连接至电光晶体(2)和激光晶体(4),所述信号发生器(6)连接至同步延迟器(7)。本实用新型的高能量、窄脉宽、高重复频率的1064nm半导体激光泵浦全固态激光器具有较好的光束质量以及较长的使用寿命,同时具有结构紧凑的优点,可以应用在医疗、工业、军事等诸多等领域,获得稳定输出且具有较窄的脉冲宽度以及MW量级峰值功率的1064nm半导体激光主要通过电光调Q技术实现的。
其他摘要本实用新型公开了一种基于MgO:LN晶体预偏置电光调Q全固态激光器,包括全反射镜(1)、电光晶体(2)、偏振片(3)、激光晶体(4)、输出镜(5)、同步延迟器(6)、信号发生器(7);所述全反射镜(1)、电光晶体(2)、偏振片(3)、激光晶体(4)、输出镜(5)依次设置,所述同步延迟器(6)连接至电光晶体(2)和激光晶体(4),所述信号发生器(6)连接至同步延迟器(7)。本实用新型的高能量、窄脉宽、高重复频率的1064nm半导体激光泵浦全固态激光器具有较好的光束质量以及较长的使用寿命,同时具有结构紧凑的优点,可以应用在医疗、工业、军事等诸多等领域,获得稳定输出且具有较窄的脉冲宽度以及MW量级峰值功率的1064nm半导体激光主要通过电光调Q技术实现的。
授权日期2019-08-02
申请日期2019-01-10
专利号CN209200369U
专利状态授权
申请号CN201920037578.2
公开(公告)号CN209200369U
IPC 分类号H01S3/115 | H01S3/0941 | H01S3/16
专利代理人贾晓玲
代理机构西安利泽明知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38800
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安文理学院
推荐引用方式
GB/T 7714
卢一鑫,成桢,杨森林,等. 一种基于MgO:LN晶体预偏置电光调Q全固态激光器. CN209200369U[P]. 2019-08-02.
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