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Semiconductor laser diode
其他题名Semiconductor laser diode
RAZEGHI, MANIJEH
2003-06-10
专利权人MP TECHNOLOGIES, L.L.C.
公开日期2003-06-10
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要The subject invention comprises a high power MWIR laser grown as a Double Heterostructure by MOCVD
其他摘要本发明包括通过MOCVD
授权日期2003-06-10
申请日期2000-07-17
专利号US6577659
专利状态失效
申请号US09/617864
公开(公告)号US6577659
IPC 分类号H01S5/323 | H01S5/00 | H01S5/32 | H01L33/00 | H01S3/19
专利代理人-
代理机构WELSH & KATZ,LTD.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38772
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MP TECHNOLOGIES, L.L.C.
推荐引用方式
GB/T 7714
RAZEGHI, MANIJEH. Semiconductor laser diode. US6577659[P]. 2003-06-10.
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US6577659.PDF(77KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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