一种测量半导体激光器烧结刻度的装置

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	一种测量半导体激光器烧结刻度的装置
其他题名	一种测量半导体激光器烧结刻度的装置
	张晨朝; 吕怡凡; 陈立红; 张志鹏; 薛建飞; 鲍峰妹; 赵国强; 李德震
	2019-07-23
专利权人	石家庄麦特达电子科技有限公司
公开日期	2019-07-23
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供了一种测量半导体激光器烧结刻度的装置，属于半导体激光器检测技术领域，包括：基座、三维平移台、固定件和接触测距器；三维平移台设置在基座上；固定件设置在三维平移台上，用于固定待测试的半导体激光器并随着三维平移台的移动而调节固定件的位置；接触测距器设置在基座上且与固定件相对设置，设有机械探头，用于测量待测试的半导体激光器芯片的芯片前腔面及管座分别距离基准位置的距离数值。本实用新型不仅可以一次性测量同一平面内所有芯片的烧结刻度而简化步骤及提高检测效率，而且避免受芯片腔面反射系数以及灯光调整的影响导致测量结果存在误差，测量结果准确并且方法简单易操作。
其他摘要	本实用新型提供了一种测量半导体激光器烧结刻度的装置，属于半导体激光器检测技术领域，包括：基座、三维平移台、固定件和接触测距器；三维平移台设置在基座上；固定件设置在三维平移台上，用于固定待测试的半导体激光器并随着三维平移台的移动而调节固定件的位置；接触测距器设置在基座上且与固定件相对设置，设有机械探头，用于测量待测试的半导体激光器芯片的芯片前腔面及管座分别距离基准位置的距离数值。本实用新型不仅可以一次性测量同一平面内所有芯片的烧结刻度而简化步骤及提高检测效率，而且避免受芯片腔面反射系数以及灯光调整的影响导致测量结果存在误差，测量结果准确并且方法简单易操作。
授权日期	2019-07-23
申请日期	2018-12-17
专利号	CN209148246U
专利状态	授权
申请号	CN201822120132.4
公开（公告）号	CN209148246U
IPC 分类号	G01M11/00
专利代理人	赵宝琴
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38767
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	石家庄麦特达电子科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张晨朝,吕怡凡,陈立红,等. 一种测量半导体激光器烧结刻度的装置. CN209148246U[P]. 2019-07-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN209148246U.PDF（400KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文