多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法

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	多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
其他题名	多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法
	周旭亮; 李召松; 王梦琦; 王嘉琪; 于红艳; 潘教青; 王圩
	2019-07-19
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2019-07-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。
其他摘要	一种多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制备方法，其中制备方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长缓冲层、有源区和光栅层；通过塔尔博特干涉曝光方法在光栅层中形成不同周期的光栅以对应不同的发射波长；在光栅层上依次外延生长覆盖层和接触层；刻蚀形成激光器阵列的脊台结构；掩埋、制作电极，完成器件制备。本发明中的塔尔博特干涉曝光使用不同周期的光刻板设计，通过一次曝光完成不同周期光栅的制作，从而实现半导体激光器阵列的多波长，减少了工艺步骤，提高了成品率；本发明可以实现激光器多波长直接输出、波导耦合输出等。
授权日期	2019-07-19
申请日期	2016-11-25
专利号	CN108110613B
专利状态	授权
申请号	CN201611063646.X
公开（公告）号	CN108110613B
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/22 \| H01S5/323
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38742
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	周旭亮,李召松,王梦琦,等. 多波长半导体分布式反馈激光器阵列及其制作方法. CN108110613B[P]. 2019-07-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN108110613B.PDF（556KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文