Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子および光ディスク装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子および光ディスク装置 |
| 高橋 孝志 | |
| 2005-02-04 | |
| 专利权人 | 株式会社リコー |
| 公开日期 | 2005-04-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 可飽和吸収層のバンドギャップとキャリア寿命を制御して、自励発振を安定して動作させることの可能な半導体レーザ素子および光ディスク装置を提供する。 【解決手段】 この半導体レーザ素子は、第1導電型の半導体基板40上に、第1導電型のクラッド層103,活性層50,第2導電型のクラッド層105が順次に積層されており、第2導電型のクラッド層105上に可飽和吸収層51が形成されている。ここで、可飽和吸収層51は、活性層50のバンドギャップとほぼ等しいか、または、わずかに小さいバンドギャップを有し、かつ、高濃度に窒素がドープされている。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过控制可饱和吸收层的带隙和载流子寿命，提供具有稳定的自激振荡操作的半导体激光元件，并提供光盘装置。解决方案：在半导体激光元件中，在半导体衬底40上依次层叠第一导电类型包层103，有源层50和第二导电类型包层105.在第二导电类型上形成可饱和吸收层51可饱和吸收层51的带隙几乎等于或略小于有源层50的带隙，并且重掺杂氮。 |
| 授权日期 | 2005-02-04 |
| 申请日期 | 1998-09-30 |
| 专利号 | JP3642386B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998293105 |
| 公开（公告）号 | JP3642386B2 |
| IPC 分类号 | H01S3/11 | H01S5/323 | H01S5/223 | H01S5/343 | H01S5/32 | H01S5/065 | G11B7/125 | G11B | H01S | H01S5/22 | H01S5/227 | H01S3/113 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 植本 雅治 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38728 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社リコー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高橋 孝志. 半導体レーザ素子および光ディスク装置. JP3642386B2[P]. 2005-02-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3642386B2.PDF（87KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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