Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
独立开关式面光源VCSEL | |
其他题名 | 独立开关式面光源VCSEL |
王俊; 谭少阳; 赵智德 | |
2019-07-09 | |
专利权人 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
公开日期 | 2019-07-09 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 实用新型 |
摘要 | 本实用新型提供一种独立开关式面光源VCSEL,其包括:半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域;外延层位于半导体衬底的正面,发光区域位于外延层的正面,各发光区域具有各自独立的供电电极,任一发光区域包括:发光芯片以及供电电极,发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,供电电极包括:外延层电极以及背电极,外延层电极一端与上DBR层的顶面相连接,另一端延伸至外延层上,背电极位于半导体衬底层的背面。本实用新型中,各发光区域可协同工作,也可各自独立工作,充分满足了实际的使用需求。同时,还有利于节约能耗,延长面光源的使用寿命。 |
其他摘要 | 本实用新型提供一种独立开关式面光源VCSEL,其包括:半导体衬底、外延层以及至少两个各自独立工作的发光区域;外延层位于半导体衬底的正面,发光区域位于外延层的正面,各发光区域具有各自独立的供电电极,任一发光区域包括:发光芯片以及供电电极,发光芯片包括自上而下依次层叠设置的:上DBR层、有源层以及下DBR层,供电电极包括:外延层电极以及背电极,外延层电极一端与上DBR层的顶面相连接,另一端延伸至外延层上,背电极位于半导体衬底层的背面。本实用新型中,各发光区域可协同工作,也可各自独立工作,充分满足了实际的使用需求。同时,还有利于节约能耗,延长面光源的使用寿命。 |
授权日期 | 2019-07-09 |
申请日期 | 2018-12-29 |
专利号 | CN209088266U |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201822252880.8 |
公开(公告)号 | CN209088266U |
IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/187 |
专利代理人 | 杨淑霞 |
代理机构 | 苏州国诚专利代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38723 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,谭少阳,赵智德. 独立开关式面光源VCSEL. CN209088266U[P]. 2019-07-09. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN209088266U.PDF(348KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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