基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
其他题名	基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片
	张明江; 王安帮; 牛亚楠; 张建忠; 赵彤; 乔丽君; 刘毅; 王云才
	2019-07-02
专利权人	太原理工大学
公开日期	2019-07-02
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及集成混沌激光器，具体是基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大，混沌信号带有时延特征、带宽窄的问题。基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由：左分布式反馈半导体激光器，双向放大的半导体光放大器SOA，随机分布布拉格反射光栅部分，右分布式反馈半导体激光器四部分组成。具体包括：N+电极层，N型衬底，InGaAsP下限制层，无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层，随机分布布拉格反射光栅层，分布反馈Bragg光栅，InGaAsP上限制层，P型重掺杂InP盖层，P型重掺杂InGaAs接触层，P+电极层，出光口，隔离沟。
其他摘要	本发明涉及集成混沌激光器，具体是基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片。本发明有效解决了现有混沌激光源体积大，混沌信号带有时延特征、带宽窄的问题。基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片由：左分布式反馈半导体激光器，双向放大的半导体光放大器SOA，随机分布布拉格反射光栅部分，右分布式反馈半导体激光器四部分组成。具体包括：N⁺电极层，N型衬底，InGaAsP下限制层，无掺杂InGaAsP多量子阱有源区层，随机分布布拉格反射光栅层，分布反馈Bragg光栅，InGaAsP上限制层，P型重掺杂InP盖层，P型重掺杂InGaAs接触层，P⁺电极层，出光口，隔离沟。
授权日期	2019-07-02
申请日期	2017-11-16
专利号	CN107809059B
专利状态	授权
申请号	CN201711140217.2
公开（公告）号	CN107809059B
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/125
专利代理人	朱源 \| 曹一杰
代理机构	太原科卫专利事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38691
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	太原理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张明江,王安帮,牛亚楠,等. 基于随机分布布拉格反射光栅的InP基单片集成混沌半导体激光器芯片. CN107809059B[P]. 2019-07-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107809059B.PDF（344KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文