Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种外延结构 | |
| 其他题名 | 一种外延结构 |
| 李鸿建; 陈志标 | |
| 2019-06-28 | |
| 专利权人 | 武汉云岭光电有限公司 |
| 公开日期 | 2019-06-28 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种外延结构，包括InP衬底，以及依次生长在所述InP衬底上的InP缓冲层、空穴阻挡层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及电子阻挡层；其中，所述多量子阱层中插入有空穴注入层。与传统外延结构的空穴由上波导层往下逐步注入到多量子阱层中的各个阱层中相比，本实用新型提供的外延结构中的空穴可通过空穴注入层快速注入到多量子阱层中，能够极大提高InP系材料的空穴注入效率，进而提高半导体激光器芯片带宽。 |
| 其他摘要 | 本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种外延结构，包括InP衬底，以及依次生长在所述InP衬底上的InP缓冲层、空穴阻挡层、下波导层、多量子阱层、上波导层以及电子阻挡层；其中，所述多量子阱层中插入有空穴注入层。与传统外延结构的空穴由上波导层往下逐步注入到多量子阱层中的各个阱层中相比，本实用新型提供的外延结构中的空穴可通过空穴注入层快速注入到多量子阱层中，能够极大提高InP系材料的空穴注入效率，进而提高半导体激光器芯片带宽。 |
| 授权日期 | 2019-06-28 |
| 申请日期 | 2018-10-22 |
| 专利号 | CN209046008U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201821710818.2 |
| 公开（公告）号 | CN209046008U |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/14 |
| 专利代理人 | 张涛 |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38684 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉云岭光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李鸿建,陈志标. 一种外延结构. CN209046008U[P]. 2019-06-28. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN209046008U.PDF（619KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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