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半导体激光装置及其制造方法
其他题名半导体激光装置及其制造方法
片桐健; 丰原望
2019-06-25
专利权人株式会社藤仓
公开日期2019-06-25
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备:半导体激光元件,其朝向第1方向射出激光;准直透镜,其使从上述半导体激光元件射出的激光的成分中的与上述第1方向垂直的第2方向的成分准直;以及透镜固定块,其具有相对于与上述第1方向以及上述第2方向垂直的第3方向垂直的透镜安装面。上述准直透镜的在上述第3方向的第1端部被固定用树脂固定于上述透镜固定块的上述透镜安装面,在被上述固定用树脂固定的上述第1端部中交叉的两个面形成有胶瘤。
其他摘要本发明涉及半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备:半导体激光元件,其朝向第1方向射出激光;准直透镜,其使从上述半导体激光元件射出的激光的成分中的与上述第1方向垂直的第2方向的成分准直;以及透镜固定块,其具有相对于与上述第1方向以及上述第2方向垂直的第3方向垂直的透镜安装面。上述准直透镜的在上述第3方向的第1端部被固定用树脂固定于上述透镜固定块的上述透镜安装面,在被上述固定用树脂固定的上述第1端部中交叉的两个面形成有胶瘤。
授权日期2019-06-25
申请日期2015-11-04
专利号CN106663914B
专利状态授权
申请号CN201580046594.2
公开(公告)号CN106663914B
IPC 分类号H01S5/022
专利代理人李洋 | 青炜
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38647
专题半导体激光器专利数据库
作者单位株式会社藤仓
推荐引用方式
GB/T 7714
片桐健,丰原望. 半导体激光装置及其制造方法. CN106663914B[P]. 2019-06-25.
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