Light-emitting diode and method for preparing the same

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	Light-emitting diode and method for preparing the same
其他题名	Light-emitting diode and method for preparing the same
	XU, JIN; WANG, JIANGBO; LIU, RONG
	2015-07-21
专利权人	HC SEMITEK CORPORATION
公开日期	2015-07-21
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for preparing a light-emitting diode having a vertical structure by stripping a GaN base epitaxial layer and a sapphire substrate by a wet process, the method including: a) preparing a graphical growth substrate; b) growing a GaN base light-emitting diode epitaxial layer on the graphical growth substrate, the GaN base light-emitting diode epitaxial layer from the bottom to the top successively including a N-type GaN layer and a P-type GaN layer; c) successively forming a transparent and electrically conductive film, an omni-directional reflection layer, an electrically conductive reflection layer, and a passive metal protection layer from the bottom to the top on the GaN base light-emitting diode epitaxial layer; and d) removing the first layer of stable material with a high melting point of the growth substrate by dry etching, exposing the N-type GaN layer, and preparing an N electrode on the N-type GaN layer.
其他摘要	一种通过湿法工艺剥离GaN基外延层和蓝宝石衬底制备具有垂直结构的发光二极管的方法，该方法包括：a）制备图形生长衬底; b）在图形生长衬底上生长GaN基发光二极管外延层，从底部到顶部的GaN基发光二极管外延层依次包括N型GaN层和P型GaN层; c）在GaN基发光二极管外延层上从底部到顶部依次形成透明导电膜，全向反射层，导电反射层和无源金属保护层; d）通过干法蚀刻去除生长衬底的高熔点的第一层稳定材料，暴露N型GaN层，并在N型GaN层上制备N电极。
授权日期	2015-07-21
申请日期	2014-01-29
专利号	US9087933
专利状态	授权
申请号	US14/166876
公开（公告）号	US9087933
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00 \| H01L33/20 \| H01L33/60 \| H01L33/46 \| H01L21/02
专利代理人	SCHOLL, MATTHIAS
代理机构	MATTHIAS SCHOLL P.C.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38641
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	HC SEMITEK CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	XU, JIN,WANG, JIANGBO,LIU, RONG. Light-emitting diode and method for preparing the same. US9087933[P]. 2015-07-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US9087933.PDF（2084KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文