一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器

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	一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器
其他题名	一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根
	2019-06-21
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-06-21
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。
其他摘要	本申请实施例提供了一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该高频垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层，衬底背面形成有N型电极层；N型层和P型层均包括多层反射层；发光层、电流限制层和P型层暴露N型层的边缘区域；N型层暴露所述衬底的边缘区域；N型层边缘设置有连通N型层的多层反射层的导电层；电流限制层包括电流注入区域和绝缘区域；P型层包括与绝缘区域对应的暴露区域，暴露区域暴露P型层中的底层的反射层；P型电极层覆盖包括暴露区域的P型层，P型电极层包括与电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器芯片的高频敏感性。
授权日期	2019-06-21
申请日期	2018-10-16
专利号	CN209016430U
专利状态	授权
申请号	CN201821678879.5
公开（公告）号	CN209016430U
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	吴迪
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38639
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种高频垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN209016430U[P]. 2019-06-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN209016430U.PDF（640KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文