一种光电器件半导体激光器芯片的脊波导用钝化膜

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	一种光电器件半导体激光器芯片的脊波导用钝化膜
其他题名	一种光电器件半导体激光器芯片的脊波导用钝化膜
	于志远; 黄永光; 季安; 司智春
	2019-06-04
专利权人	河南仕佳光子科技股份有限公司
公开日期	2019-06-04
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种光电器件半导体激光器芯片的脊波导用钝化膜，所述钝化膜为复合薄膜，包括SiNx薄膜和SiO2薄膜，SiNx薄膜包裹在SiO2薄膜上。本实用新型在ICPCVD淀积SiO2薄膜的同时，在其上淀积SiNx薄膜，这样便成了SiNx‑SiO2复合薄膜，复合薄膜中的SiNx层，化学稳定性强，抗腐蚀性好，钝化效果好，可以起到保护脊波导侧壁SiO2薄膜不被腐蚀的效果。本实用新型还可在300℃‑400℃温度范围内，对复合薄膜钝化后的芯片进行热处理。目的进一步促提高复合膜的致密性，达到更满意的钝化效果。经过复合薄膜钝化、热处理后的管芯，侧壁的抗腐蚀性较好。此外，在老化过程中复合膜未发生与衬底的开裂现象，提高了半导体器件和集成电路的热稳定性和可靠性。
其他摘要	本实用新型公开了一种光电器件半导体激光器芯片的脊波导用钝化膜，所述钝化膜为复合薄膜，包括SiNx薄膜和SiO2薄膜，SiNx薄膜包裹在SiO2薄膜上。本实用新型在ICPCVD淀积SiO2薄膜的同时，在其上淀积SiNx薄膜，这样便成了SiNx‑SiO2复合薄膜，复合薄膜中的SiNx层，化学稳定性强，抗腐蚀性好，钝化效果好，可以起到保护脊波导侧壁SiO2薄膜不被腐蚀的效果。本实用新型还可在300℃‑400℃温度范围内，对复合薄膜钝化后的芯片进行热处理。目的进一步促提高复合膜的致密性，达到更满意的钝化效果。经过复合薄膜钝化、热处理后的管芯，侧壁的抗腐蚀性较好。此外，在老化过程中复合膜未发生与衬底的开裂现象，提高了半导体器件和集成电路的热稳定性和可靠性。
授权日期	2019-06-04
申请日期	2018-11-21
专利号	CN208939335U
专利状态	授权
申请号	CN201821921276.3
公开（公告）号	CN208939335U
IPC 分类号	H01S5/028 \| C23C16/40 \| C23C16/34
专利代理人	张绍琳 \| 谢萍
代理机构	郑州优盾知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38559
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	河南仕佳光子科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	于志远,黄永光,季安,等. 一种光电器件半导体激光器芯片的脊波导用钝化膜. CN208939335U[P]. 2019-06-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208939335U.PDF（247KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文