一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器

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	一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
其他题名	一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根
	2019-05-21
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-05-21
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本申请实施例提供了一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层和P型电极层，形成于所述衬底背面的N型电极层；所述P型层包括依次形成于所述发光层上的多个反射层，多个所述反射层中的每个反射层均包括导电区域和绝缘区域，且多个反射层中的所述导电区域的面积自下至上逐渐增大，使得所述P型层形成截面呈倒梯形的导电区域；所述P型电极层包括与所述导电区域对应的出光孔；所述出光孔内设置有凸透镜。本申请实施例减小了垂直腔面发射激光器芯片中出射光线的发散角。
其他摘要	本申请实施例提供了一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层和P型电极层，形成于所述衬底背面的N型电极层；所述P型层包括依次形成于所述发光层上的多个反射层，多个所述反射层中的每个反射层均包括导电区域和绝缘区域，且多个反射层中的所述导电区域的面积自下至上逐渐增大，使得所述P型层形成截面呈倒梯形的导电区域；所述P型电极层包括与所述导电区域对应的出光孔；所述出光孔内设置有凸透镜。本申请实施例减小了垂直腔面发射激光器芯片中出射光线的发散角。
授权日期	2019-05-21
申请日期	2018-10-16
专利号	CN208890096U
专利状态	授权
申请号	CN201821678406.5
公开（公告）号	CN208890096U
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	吴迪
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38504
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种极小发散角的垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN208890096U[P]. 2019-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208890096U.PDF（389KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文