光栅辅助的微柱腔面发射激光器

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	光栅辅助的微柱腔面发射激光器
其他题名	光栅辅助的微柱腔面发射激光器
	国伟华; 马向; 陆巧银
	2019-05-21
专利权人	华中科技大学
公开日期	2019-05-21
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种光栅辅助的微柱腔面发射激光器。该激光器的谐振腔腔体为微柱，以支持回音壁模式。微柱从上往下主要包括欧姆接触层、光栅层、上盖层、有源区以及下盖层。输出光栅位于光栅层靠近微柱外侧边的位置，欧姆接触层下方特定区域被制成高阻区，使得电流注入区域与回音壁模式的分布重合，提高激光器的注入效率。微柱腔外侧面刻蚀光栅或缺陷能选出特定的回音壁模式成为激光器的激射模式，然后通过顶上的输出光栅形成所选模式的垂直输出，实现单模的垂直输出面发射激光器。本发明具有体积小、检测方便、低成本、易于集成二维阵列、单模工作、输出光易于与光纤耦合、可以在不同的材料体系上实现等诸多优点。
其他摘要	发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种光栅辅助的微柱腔面发射激光器。该激光器的谐振腔腔体为微柱，以支持回音壁模式。微柱从上往下主要包括欧姆接触层、光栅层、上盖层、有源区以及下盖层。输出光栅位于光栅层靠近微柱外侧边的位置，欧姆接触层下方特定区域被制成高阻区，使得电流注入区域与回音壁模式的分布重合，提高激光器的注入效率。微柱腔外侧面刻蚀光栅或缺陷能选出特定的回音壁模式成为激光器的激射模式，然后通过顶上的输出光栅形成所选模式的垂直输出，实现单模的垂直输出面发射激光器。本发明具有体积小、检测方便、低成本、易于集成二维阵列、单模工作、输出光易于与光纤耦合、可以在不同的材料体系上实现等诸多优点。
授权日期	2019-05-21
申请日期	2016-01-18
专利号	CN105591284B
专利状态	授权
申请号	CN201610031840.3
公开（公告）号	CN105591284B
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	房德权
代理机构	北京华沛德权律师事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38500
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	国伟华,马向,陆巧银. 光栅辅助的微柱腔面发射激光器. CN105591284B[P]. 2019-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105591284B.PDF（4102KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文