一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
其他题名	一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根
	2019-05-21
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-05-21
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器的单模效果。
其他摘要	本申请实施例提供了一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器，其中，该垂直腔面发射激光器芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、电流限制层、P型层和P型电极层；所述衬底背面形成有N型电极层；所述电流限制层包括形成于所述发光层上的第一电流限制层和形成于所述第一电流限制层上第二电流限制层；所述第一电流限制层包括第一电流注入区域；所述第二电流限制层包括与所述第一电流注入区域对应的第二电流注入区域，所述第一电流注入区域的横截面积小于所述第二电流注入区域的横截面积；所述P型电极层包括与所述第二电流注入区域对应的出光孔。本申请实施例提高了垂直腔面发射激光器的单模效果。
授权日期	2019-05-21
申请日期	2018-10-16
专利号	CN208890097U
专利状态	授权
申请号	CN201821678467.1
公开（公告）号	CN208890097U
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/183
专利代理人	吴迪
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38494
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种多层限流的垂直腔面发射激光器芯片及激光器. CN208890097U[P]. 2019-05-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208890097U.PDF（408KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文