Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 | |
| 其他题名 | 二维光子准晶宽区半导体激光器结构 |
| 贾志伟; 王利军; 张锦川; 刘峰奇; 刘俊岐; 王占国 | |
| 2019-05-17 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-05-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构，包括：一衬底；一下波导；一下限制层；一有源区；一上限制层；一上波导；一接触层；一钝化层；一正面电极；一背面电极；一制作于上限制层的二维光子准晶阵列，从接触层到下波导刻蚀出条形宽区台面，钝化层包覆整个台面并在台面顶端开出电注入窗口，上电极在钝化层之上，在电注入窗口区域与接触层形成欧姆接触用于电注入，同时为有源区提供散热通道；背面电极与衬底形成欧姆接触，用于另一极电注入。 |
| 授权日期 | 2019-05-17 |
| 申请日期 | 2016-07-18 |
| 专利号 | CN106025797B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201610563190.7 |
| 公开（公告）号 | CN106025797B |
| IPC 分类号 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38483 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 贾志伟,王利军,张锦川,等. 二维光子准晶宽区半导体激光器结构. CN106025797B[P]. 2019-05-17. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106025797B.PDF（534KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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