利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法

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	利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法
其他题名	利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法
	赵润; 张晓光
	2019-04-23
专利权人	中国电子科技集团公司第十三研究所
公开日期	2019-04-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，涉及半导体激光器技术领域。本方法是将宽条大功率激光器芯片的注入电极分成若干个1微米‑5微米的微元，通过离子注入、介质掩蔽等手段控制各微元的电流注入或不注入。通过电流场、光场、热场三者间的耦合计算，设计合理微区注入电流分布，以实现宽条激光器内部光场相位的稳定；各独立微区的电流注入并且各微区按位置满足某种伪随机码的控制，并且总体满足注入电流的区域分布。从而实现慢轴发散角降低，光场特性稳定的功能，并且对半导体激光器的转换效率和单元输出功率水平无明显影响。
其他摘要	本发明公开了一种利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法，涉及半导体激光器技术领域。本方法是将宽条大功率激光器芯片的注入电极分成若干个1微米‑5微米的微元，通过离子注入、介质掩蔽等手段控制各微元的电流注入或不注入。通过电流场、光场、热场三者间的耦合计算，设计合理微区注入电流分布，以实现宽条激光器内部光场相位的稳定；各独立微区的电流注入并且各微区按位置满足某种伪随机码的控制，并且总体满足注入电流的区域分布。从而实现慢轴发散角降低，光场特性稳定的功能，并且对半导体激光器的转换效率和单元输出功率水平无明显影响。
授权日期	2019-04-23
申请日期	2015-07-22
专利号	CN104993373B
专利状态	授权
申请号	CN201510433104.6
公开（公告）号	CN104993373B
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/065 \| H01S5/068
专利代理人	米文智
代理机构	石家庄国为知识产权事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38423
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国电子科技集团公司第十三研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	赵润,张晓光. 利用微结构实现大功率半导体激光器慢轴模式控制方法. CN104993373B[P]. 2019-04-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104993373B.PDF（342KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文