Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种共享型VCSEL与HBT集成结构 | |
| 其他题名 | 一种共享型VCSEL与HBT集成结构 |
| 王智勇; 周广正; 李颖; 兰天 | |
| 2019-04-19 | |
| 专利权人 | 北京工业大学 |
| 公开日期 | 2019-04-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 一种共享型VCSEL与HBT集成结构，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐蚀刻蚀至n型InGaP腐蚀阻挡层，再利用湿法氧化形成环形氧化以提供电流和光场限制，再依次刻蚀n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区和p型GaAs基区，依次在p型GaAs基区和n型InGaP发射区制作基极电极和发射极电极，再利用BCB填充刻蚀沟槽，再制作VCSEL p面电极。VCSEL与HBT在竖直方向形成串联减小了芯片面积。 |
| 其他摘要 | 一种共享型VCSEL与HBT集成结构，属于化合物半导体材料及器件技术领域。所述结构中VCSEL与HBT共享n型InGaP发射区、p型GaAs基区和n型GaAs集电区，且VCSEL与HBT在竖直方向形成串联来减小芯片面积。利用湿法腐蚀刻蚀至n型InGaP腐蚀阻挡层，再利用湿法氧化形成环形氧化以提供电流和光场限制，再依次刻蚀n型InGaP腐蚀阻挡层、n型GaAs集电区和p型GaAs基区，依次在p型GaAs基区和n型InGaP发射区制作基极电极和发射极电极，再利用BCB填充刻蚀沟槽，再制作VCSEL p面电极。VCSEL与HBT在竖直方向形成串联减小了芯片面积。 |
| 授权日期 | 2019-04-19 |
| 申请日期 | 2018-07-03 |
| 专利号 | CN208767611U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201821040464.5 |
| 公开（公告）号 | CN208767611U |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/062 |
| 专利代理人 | 张立改 |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38417 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王智勇,周广正,李颖,等. 一种共享型VCSEL与HBT集成结构. CN208767611U[P]. 2019-04-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN208767611U.PDF（470KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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