一种垂直腔面发射激光芯片

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	一种垂直腔面发射激光芯片
其他题名	一种垂直腔面发射激光芯片
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明; 许勇辉; 郭河
	2019-04-12
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-04-12
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光芯片，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。
其他摘要	本实用新型提供了一种垂直腔面发射激光芯片，包括衬底、依次位于衬底第一表面的N型DBR层、第一氧化层、MQW层、第二氧化层和P型DBR层；第一氧化层包括位于中心的第一未氧化区和位于第一未氧化区四周的第一氧化区；第二氧化层包括位于中心的第二未氧化区和位于第二未氧化区四周的第二氧化区；其中，第一氧化区和第二氧化区不导电，且第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积。由于第一未氧化区的面积小于第二未氧化区的面积，因此，使得电流在第二未氧化区横向扩展，从而使得电流从第二未氧化区均匀流向第一未氧化区，进而增大了靠近VCSEL芯片中心区域的电流密度，减小了VCSEL芯片的半波宽。
授权日期	2019-04-12
申请日期	2018-10-29
专利号	CN208738609U
专利状态	授权
申请号	CN201821762316.4
公开（公告）号	CN208738609U
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38399
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种垂直腔面发射激光芯片. CN208738609U[P]. 2019-04-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208738609U.PDF（566KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文