一种高阶表面光栅面发射半导体激光器

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	一种高阶表面光栅面发射半导体激光器
其他题名	一种高阶表面光栅面发射半导体激光器
	张敏明; 敖应权; 刘德明
	2019-04-12
专利权人	华中科技大学
公开日期	2019-04-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在光栅层分布有一阶光栅；在一阶光栅上方且在谐振腔中央分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅。位于光栅层上方，激光器谐振腔中央的长度为(9‑100)微米的高阶表面光栅。高阶表面光栅将激光器谐振腔中的行波模耦合成为辐射模，实现激光的表面输出。激光器表面输出光与标准单模光纤纤芯进行直接耦合。并在高阶表面光栅中央引入一段中央相移，可以使高阶表面光栅面发射激光器与标准单模光纤具有超过50％的耦合效率。
其他摘要	本发明公开了一种高阶表面光栅面发射半导体激光器，包括依次设置的表面金属电极层，脊波导层，p型掺杂包层，光栅层，p型掺杂光限制层，量子阱或量子点有源区，n型掺杂光限制层和衬底层；在光栅层分布有一阶光栅；在一阶光栅上方且在谐振腔中央分布有用于将沿着水平方向谐振的光能量耦合到垂直方向上输出的高阶表面光栅。位于光栅层上方，激光器谐振腔中央的长度为(9‑100)微米的高阶表面光栅。高阶表面光栅将激光器谐振腔中的行波模耦合成为辐射模，实现激光的表面输出。激光器表面输出光与标准单模光纤纤芯进行直接耦合。并在高阶表面光栅中央引入一段中央相移，可以使高阶表面光栅面发射激光器与标准单模光纤具有超过50％的耦合效率。
授权日期	2019-04-12
申请日期	2017-03-27
专利号	CN106848836B
专利状态	授权
申请号	CN201710187557
公开（公告）号	CN106848836B
IPC 分类号	H01S5/18 \| H01S5/12
专利代理人	廖盈春 \| 李智
代理机构	华中科技大学专利中心
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38392
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	华中科技大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张敏明,敖应权,刘德明. 一种高阶表面光栅面发射半导体激光器. CN106848836B[P]. 2019-04-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106848836B.PDF（412KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文