延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件

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	延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件
其他题名	延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明; 许勇辉; 郭河
	2019-04-09
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-04-09
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜保护多量子阱有源层不被水汽侵蚀；同时第二半导体多层膜反射镜能够起到缓冲氧化结构应力的作用，避免在使用VCSEL芯片时产生高温条件下，氧化结构产生的应力对多量子阱有源层造成损坏的情况出现；并且，第二半导体多层膜反射镜还能够阻挡氧化结构中的杂质扩展至多量子阱有源层，保证VCSEL芯片的使用寿命较高。
其他摘要	本实用新型公开了一种延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件，在多量子阱有源层背离衬底一侧形成有第二半导体多层膜反射镜，以通过第二半导体多层膜反射镜阻挡限制层和多量子阱有源层相接触，进而能够在形成限制层的氧化结构时，通过第二半导体多层膜反射镜保护多量子阱有源层不被水汽侵蚀；同时第二半导体多层膜反射镜能够起到缓冲氧化结构应力的作用，避免在使用VCSEL芯片时产生高温条件下，氧化结构产生的应力对多量子阱有源层造成损坏的情况出现；并且，第二半导体多层膜反射镜还能够阻挡氧化结构中的杂质扩展至多量子阱有源层，保证VCSEL芯片的使用寿命较高。
授权日期	2019-04-09
申请日期	2018-10-31
专利号	CN208723311U
专利状态	授权
申请号	CN201821785469.0
公开（公告）号	CN208723311U
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38387
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 延长使用寿命的VCSEL芯片和电子器件. CN208723311U[P]. 2019-04-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208723311U.PDF（1503KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文