一种多光束垂直腔面发射激光芯片

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	一种多光束垂直腔面发射激光芯片
其他题名	一种多光束垂直腔面发射激光芯片
	彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明; 许勇辉; 郭河
	2019-04-05
专利权人	厦门乾照半导体科技有限公司
公开日期	2019-04-05
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型提供了一种多光束垂直腔面发射激光芯片，垂直腔面发射激光芯片的出光区域具有第一透明层以及位于所述第一透明层表面的第二透明层；所述第一透明层具有将所述芯片的出射光分成多束光的衍射光栅；所述第二透明层具有使所述衍射光出射的多束光进行干涉加强的干涉狭缝。因此，本实用新型不仅可以通过衍射光栅将芯片的出射光分成多束光，实现一个垂直腔面发射激光芯片出射多束光、减小光源模组的体积的目的，而且可以通过干涉狭缝对衍射光出射的多束光进行干涉加强，以在不进行二次配光的情况下，增加出射的多束光的亮度，使得出射的多束光满足一定的亮度需求。
其他摘要	本实用新型提供了一种多光束垂直腔面发射激光芯片，垂直腔面发射激光芯片的出光区域具有第一透明层以及位于所述第一透明层表面的第二透明层；所述第一透明层具有将所述芯片的出射光分成多束光的衍射光栅；所述第二透明层具有使所述衍射光出射的多束光进行干涉加强的干涉狭缝。因此，本实用新型不仅可以通过衍射光栅将芯片的出射光分成多束光，实现一个垂直腔面发射激光芯片出射多束光、减小光源模组的体积的目的，而且可以通过干涉狭缝对衍射光出射的多束光进行干涉加强，以在不进行二次配光的情况下，增加出射的多束光的亮度，使得出射的多束光满足一定的亮度需求。
授权日期	2019-04-05
申请日期	2018-10-29
专利号	CN208707076U
专利状态	授权
申请号	CN201821762280.X
公开（公告）号	CN208707076U
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/187
专利代理人	王宝筠
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38378
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	厦门乾照半导体科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种多光束垂直腔面发射激光芯片. CN208707076U[P]. 2019-04-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208707076U.PDF（717KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文