Surface emitting semiconductor laser and process for producing the same including forming an insulating layer on the lower reflector

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	Surface emitting semiconductor laser and process for producing the same including forming an insulating layer on the lower reflector
其他题名	Surface emitting semiconductor laser and process for producing the same including forming an insulating layer on the lower reflector
	OTOMA, HIROMI; SAKURAI, JUN
	2006-08-29
专利权人	FUJI XEROX CO., LTD.
公开日期	2006-08-29
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A surface emitting semiconductor laser includes a substrate, a first semiconductor multilayer reflector formed on the substrate, an active region formed on the first semiconductor multilayer reflector, a second semiconductor multilayer reflector formed on the active region, a current confinement layer interposed between the first and second semiconductor multilayer reflectors and partially including an oxide region, and an insulating layer formed on a coated surface provided by a semiconductor layer which is part of the first semiconductor multilayer reflector and is revealed after removal of a surface oxidation layer.
其他摘要	表面发射半导体激光器包括基板，形成在基板上的第一半导体多层反射器，形成在第一半导体多层反射器上的有源区，形成在有源区上的第二半导体多层反射器，插入在第一半导体多层反射器和第一半导体多层反射器之间的电流限制层。第二半导体多层反射器和部分地包括氧化物区域，以及形成在涂层表面上的绝缘层，该涂层表面由作为第一半导体多层反射器的一部分的半导体层提供并且在去除表面氧化层之后显露出来。
授权日期	2006-08-29
申请日期	2005-04-20
专利号	US7098059
专利状态	授权
申请号	US11/109753
公开（公告）号	US7098059
IPC 分类号	H01L21/66 \| G01R31/26 \| H01L21/00 \| H01L21/302 \| H01L21/461 \| H01S5/183 \| H01S5/343
专利代理人	-
代理机构	OLIFF & BERRIDGE,PLC
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38253
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	FUJI XEROX CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	OTOMA, HIROMI,SAKURAI, JUN. Surface emitting semiconductor laser and process for producing the same including forming an insulating layer on the lower reflector. US7098059[P]. 2006-08-29.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7098059.PDF（1063KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文