Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种集中电流注入的VCSEL芯片 | |
| 其他题名 | 一种集中电流注入的VCSEL芯片 |
| 彭钰仁; 贾钊; 许晏铭; 洪来荣; 陈为民; 陈进顺; 翁妹芝; 张坤铭; 朱鸿根; 陈伟明; 许勇辉; 郭河 | |
| 2019-03-01 | |
| 专利权人 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 公开日期 | 2019-03-01 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本申请公开了一种集中电流注入的VCSEL芯片，所述集中电流注入的VCSEL芯片在外延结构上还设置有电流集中层，该电流集中层配合位于电流集中层两侧的绝缘层以及电连接层，构成了一条从电极结构—电极集中层—导电结构—量子阱层的电流通路，并且由于电流集中层在衬底上的正投影，位于导电结构在衬底上的正投影中，使得形成的该电流通路均匀的分布在导电结构中，避免了电流集中在氧化结构边缘的情况出现，提高了VCSEL芯片内部的电流均匀性，使得所述集中电流注入的VCSEL芯片能够实现单模光的出射。 |
| 其他摘要 | 本申请公开了一种集中电流注入的VCSEL芯片，所述集中电流注入的VCSEL芯片在外延结构上还设置有电流集中层，该电流集中层配合位于电流集中层两侧的绝缘层以及电连接层，构成了一条从电极结构—电极集中层—导电结构—量子阱层的电流通路，并且由于电流集中层在衬底上的正投影，位于导电结构在衬底上的正投影中，使得形成的该电流通路均匀的分布在导电结构中，避免了电流集中在氧化结构边缘的情况出现，提高了VCSEL芯片内部的电流均匀性，使得所述集中电流注入的VCSEL芯片能够实现单模光的出射。 |
| 授权日期 | 2019-03-01 |
| 申请日期 | 2018-09-18 |
| 专利号 | CN208571230U |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201821526256.6 |
| 公开（公告）号 | CN208571230U |
| IPC 分类号 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 骆宗力 | 王宝筠 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38246 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭钰仁,贾钊,许晏铭,等. 一种集中电流注入的VCSEL芯片. CN208571230U[P]. 2019-03-01. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN208571230U.PDF（2600KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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