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半导体激光设备组件
其他题名半导体激光设备组件
河野俊介; 仓本大; 幸田伦太郎
2019-01-18
专利权人索尼公司
公开日期2019-01-18
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括:锁模半导体激光元件组件,包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统,从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光;以及半导体光学放大器,具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体,该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
其他摘要本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括:锁模半导体激光元件组件,包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统,从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光;以及半导体光学放大器,具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体,该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
授权日期2019-01-18
申请日期2014-04-30
专利号CN104143762B
专利状态授权
申请号CN201410183449.6
公开(公告)号CN104143762B
IPC 分类号H01S5/065
专利代理人余刚 | 吴孟秋
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38076
专题半导体激光器专利数据库
作者单位索尼公司
推荐引用方式
GB/T 7714
河野俊介,仓本大,幸田伦太郎. 半导体激光设备组件. CN104143762B[P]. 2019-01-18.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN104143762B.PDF(4793KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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