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一种应用于半导体激光器的衬底
其他题名一种应用于半导体激光器的衬底
刘兴胜; 蔡万绍; 陶春华; 邢卓; 宋涛
2019-01-08
专利权人西安炬光科技股份有限公司
公开日期2019-01-08
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明提出一种应用于半导体激光器的衬底,解决现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。该衬底的衬底正面和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区,衬底底面作为与散热器的键合面;所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得:所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区,从衬底正面到衬底背面表现为导电联通;所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。
其他摘要本发明提出一种应用于半导体激光器的衬底,解决现有传导冷却半导体激光器封装结构热传导效率较低、封装工艺较复杂的问题。该衬底的衬底正面和/或衬底背面设定有激光器芯片键合区,衬底底面作为与散热器的键合面;所述衬底是由绝缘材料和导电材料共同构成的复合体,绝缘材料和导电材料在复合体中的布局使得:所述复合体中对应于所述激光器芯片键合区,从衬底正面到衬底背面表现为导电联通;所述激光器芯片键合区与衬底底部表现为相互绝缘。
授权日期2019-01-08
申请日期2016-03-22
专利号CN105790063B
专利状态授权
申请号CN201610164657.0
公开(公告)号CN105790063B
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/02 | H01S5/024
专利代理人胡乐
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38036
专题半导体激光器专利数据库
作者单位西安炬光科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
刘兴胜,蔡万绍,陶春华,等. 一种应用于半导体激光器的衬底. CN105790063B[P]. 2019-01-08.
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