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半导体激光光源
其他题名半导体激光光源
渡部裕之
2018-12-28
专利权人三菱电机株式会社
公开日期2018-12-28
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要现有的半导体激光光源存在在生产工序中由于要改变发光体的波导的间隔、或控制施加于激光器阵列的芯片的应力,因此生产率降低的问题。搭载有半导体激光器阵列(2)的散热装置(3a)的形状构成为,多个半导体激光器中的带的宽度方向上的中央侧的区域与除此以外的区域中的散热效率不同,其中,所述半导体激光器阵列(2)由多个半导体激光器的带在所述带的宽度方向上等间隔地排列而成。具体而言,形成为如下结构:当换算成每个半导体激光器对应的面积时,散热装置的第2面中的第2区域的面积比在多个半导体激光器中的带的宽度方向上除中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的第2面中的第4区域的面积小。
其他摘要现有的半导体激光光源存在在生产工序中由于要改变发光体的波导的间隔、或控制施加于激光器阵列的芯片的应力,因此生产率降低的问题。搭载有半导体激光器阵列(2)的散热装置(3a)的形状构成为,多个半导体激光器中的带的宽度方向上的中央侧的区域与除此以外的区域中的散热效率不同,其中,所述半导体激光器阵列(2)由多个半导体激光器的带在所述带的宽度方向上等间隔地排列而成。具体而言,形成为如下结构:当换算成每个半导体激光器对应的面积时,散热装置的第2面中的第2区域的面积比在多个半导体激光器中的带的宽度方向上除中央侧的半导体激光器以外的半导体激光器的散热部所接触的第2面中的第4区域的面积小。
授权日期2018-12-28
申请日期2014-06-25
专利号CN105659448B
专利状态授权
申请号CN201480058124.3
公开(公告)号CN105659448B
IPC 分类号H01S5/024 | H01S5/22
专利代理人李辉 | 龚晓娟
代理机构北京三友知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37991
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三菱电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
渡部裕之. 半导体激光光源. CN105659448B[P]. 2018-12-28.
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