一种波长可调谐的半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种波长可调谐的半导体激光器
其他题名	一种波长可调谐的半导体激光器
	林中晞; 林琦; 徐玉兰; 陈景源; 钟杏丽; 朱振国; 薛正群; 苏辉
	2018-12-25
专利权人	中国科学院福建物质结构研究所
公开日期	2018-12-25
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：由下至上形成的下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层和上分离限制层；其中，下波导层、有源层和上波导层构成半导体激光器的光限制层中心区域，下分离限制层和上分离限制层构成半导体激光器的包层；上波导层或下波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本实用新型提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和吸收区产生的增益杠杆效应，能够增大半导体激光器的3dB带宽，实现高速调制。本实用新型提出的半导体激光器还利用半导体激光器侧边上的微腔结构，实现对半导体激光器波长的选择性输出。
其他摘要	本实用新型涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：由下至上形成的下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层和上分离限制层；其中，下波导层、有源层和上波导层构成半导体激光器的光限制层中心区域，下分离限制层和上分离限制层构成半导体激光器的包层；上波导层或下波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本实用新型提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和吸收区产生的增益杠杆效应，能够增大半导体激光器的3dB带宽，实现高速调制。本实用新型提出的半导体激光器还利用半导体激光器侧边上的微腔结构，实现对半导体激光器波长的选择性输出。
授权日期	2018-12-25
申请日期	2018-06-21
专利号	CN208284785U
专利状态	授权
申请号	CN201820961895.9
公开（公告）号	CN208284785U
IPC 分类号	H01S5/06 \| H01S5/10
专利代理人	张祖萍
代理机构	北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37961
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院福建物质结构研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	林中晞,林琦,徐玉兰,等. 一种波长可调谐的半导体激光器. CN208284785U[P]. 2018-12-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN208284785U.PDF（362KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文