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光ハイブリッドモジュール及びその製造方法
其他题名光ハイブリッドモジュール及びその製造方法
權 五達; 李 周勳
2007-04-20
专利权人三星電子株式会社
公开日期2007-07-18
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】複数の光学素子が基板上に集積され光導波路で連結された光ハイブリッドモジュール内の漏出光の反射による光学素子間クロストークを減少させる。 【解決手段】基板31上に形成され、所定の光学素子35へ光信号を伝達する光導波路30と、光導波路以外の部分に流出した光が光学素子に受信されることを防止するように、少なくとも光導波路の光結合部端面Oの両脇に傾斜形成された遮光層34と、を含むことを特徴とする。 【選択図】図3
其他摘要要解决的问题:为了减少由于光学混合模块中的泄漏光的反射引起的光学元件之间的串扰,其中多个光学元件集成在基板上并通过光波导连接。 一种光波导,形成在基板上并将光信号传输到预定的光学元件;和光波导,形成在光波导上,以防止光学元件接收流出光波导以外的部分的光,并且遮光层至少在光波导的光耦合部分端面的两侧倾斜。 点域
授权日期2007-04-20
申请日期2004-06-09
专利号JP3947186B2
专利状态失效
申请号JP2004170619
公开(公告)号JP3947186B2
IPC 分类号G02B6/42 | G02B | G02B6/122 | G02B6/28
专利代理人水野 勝文 | 岸田 正行 | 小川 英宣 | 川上 成年
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/37078
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三星電子株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
權 五達,李 周勳. 光ハイブリッドモジュール及びその製造方法. JP3947186B2[P]. 2007-04-20.
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