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Solid-state laser device
其他题名Solid-state laser device
KASAMATSU, TADASHI; SEKITA, HITOSHI
1999-11-09
专利权人NEC CORPORATION
公开日期1999-11-09
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要In a quasi-three-level solid-state laser that is excited by a semiconductor laser, a temperature-controlling apparatus is used to operate the crystal temperature that enables optimum laser operation in terms of both efficiency and output, based on the effect that cooling the crystal has on reducing the efficiency of absorption of power from the semiconductor excitation laser and the effect that cooling the crystal has on lowering the oscillation threshold value.
其他摘要在由半导体激光器激发的准三级固态激光器中,温度控制装置用于操作晶体温度,基于冷却效果,在效率和输出方面实现最佳激光操作晶体具有降低来自半导体激发激光器的功率吸收效率以及冷却晶体对降低振荡阈值的影响。
授权日期1999-11-09
申请日期1998-04-21
专利号US5982792
专利状态失效
申请号US09/063053
公开(公告)号US5982792
IPC 分类号H01S3/04 | H01S3/042 | H01S3/02 | H01S3/16 | H01S3/0941 | H01S3/094
专利代理人-
代理机构FOLEY & LARDNER
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/36492
专题半导体激光器专利数据库
作者单位NEC CORPORATION
推荐引用方式
GB/T 7714
KASAMATSU, TADASHI,SEKITA, HITOSHI. Solid-state laser device. US5982792[P]. 1999-11-09.
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