Semiconductor laser and manufacturing method therefor

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	Semiconductor laser and manufacturing method therefor
其他题名	Semiconductor laser and manufacturing method therefor
	TANAKA, HARUO; MUSHIAGE, MASATO; KUSUNOKI, KAORU
	1995-02-21
专利权人	ROHM CO., LTD.
公开日期	1995-02-21
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor laser adaptable for a 3-beam method, including a semiconductor laser chip bonded on a primary plane of a flat submount, the semiconductor laser chip having a thickness of 30 to 80 mu m is provided. Also provided is a method for manufacturing a semiconductor laser including the steps of: sequentially stacking layers of compound semiconductor materials on a semiconductor substrate to form a semiconductor laser wafer; mechanically abrading the semiconductor substrate to make it thin; subjecting the mechanically abraded face of the semiconductor substrate to a chemical treatment; forming an electrode film on both sides of the semiconductor laser wafer thus treated; and cutting the semiconductor laser wafer into chips and bonding each of the chips on a submount.
其他摘要	一种适用于3光束方法的半导体激光器，包括键合在扁平子安装座的主平面上的半导体激光器芯片，该半导体激光器芯片具有30至80μm的厚度。还提供了一种制造半导体激光器的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上顺序堆叠化合物半导体材料层以形成半导体激光器晶片;机械研磨半导体衬底使其变薄;对半导体衬底的机械磨损面进行化学处理;在如此处理的半导体激光晶片的两侧形成电极膜;将半导体激光晶片切割成芯片并将每个芯片粘合在子安装座上。
授权日期	1995-02-21
申请日期	1993-06-01
专利号	US5392304
专利状态	失效
申请号	US08/069855
公开（公告）号	US5392304
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/022 \| H01S5/02 \| H01S3/04
专利代理人	-
代理机构	NIKAIDO,MARMELSTEIN,MURRAY & ORAM
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/36144
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ROHM CO., LTD.
推荐引用方式 GB/T 7714	TANAKA, HARUO,MUSHIAGE, MASATO,KUSUNOKI, KAORU. Semiconductor laser and manufacturing method therefor. US5392304[P]. 1995-02-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US5392304.PDF（125KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文