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Semiconductor radiation coupling system
其他题名Semiconductor radiation coupling system
EVANS, GARY A.; KIRK, JAY B.
1990-04-24
专利权人GENERAL ELECTRIC COMPANY, A CORP. OF NY
公开日期1990-04-24
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要A first array of laser diode devices are optically coupled by a diffraction grating comprising a plurality of spaced diffraction nodules in a grid array optically coupled to the devices. The light emitted from a device of the first array can pass through the grid array to a second device, reflect back to the emitting device in a Distributed Bragg Reflector (DBR) mode and deflect orthogonal to the emitted light optical axis to a third device in a Distributed Bragg Deflector (DBD) mode. The light from the second and third devices can be coupled to other laser diode devices by still further diffraction nodule arrays to produce phased-locked beams; beam steering of portions of the light and other effects.
其他摘要第一激光二极管器件阵列通过衍射光栅光学耦合,该衍射光栅包括光学耦合到器件的栅格阵列中的多个间隔开的衍射结节。从第一阵列的装置发射的光可以穿过栅格阵列到达第二装置,以分布式布拉格反射器(DBR)模式反射回发射装置并且垂直于发射的光光轴偏转到第三装置。分布式布拉格偏转器(DBD)模式。来自第二和第三装置的光可以通过另外的衍射结节阵列耦合到其他激光二极管装置,以产生相控锁定光束;光束转向部分光和其他效果。
授权日期1990-04-24
申请日期1989-05-10
专利号US4919507
专利状态失效
申请号US07/349607
公开(公告)号US4919507
IPC 分类号G02B6/34 | H01S5/00 | H01S5/42 | H01S5/125 | H01S5/062 | H01S5/40
专利代理人-
代理机构WEBB,II, PAUL R. DAVIS,JR., JAMES C.
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35928
专题半导体激光器专利数据库
作者单位GENERAL ELECTRIC COMPANY, A CORP. OF NY
推荐引用方式
GB/T 7714
EVANS, GARY A.,KIRK, JAY B.. Semiconductor radiation coupling system. US4919507[P]. 1990-04-24.
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