Hybrid laser diode for single mode operation and method of fabricating the same

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	Hybrid laser diode for single mode operation and method of fabricating the same
其他题名	Hybrid laser diode for single mode operation and method of fabricating the same
	LEEM, YOUNG-AHN; KIM, KI-SOO; SONG, JUNG-HO; KWON, O-KYUN; KIM, GYUNG-OCK
	2011-07-05
专利权人	ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
公开日期	2011-07-05
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	Provided are a hybrid laser diode for single mode operation, and a method for manufacturing the hybrid laser diode. The hybrid laser diode includes a silicon layer, an active pattern disposed on the silicon layer, and a bonding layer disposed between the silicon layer and the active pattern. Here, the bonding layer includes diffraction patterns constituting a Bragg grating.
其他摘要	本发明提供一种用于单模操作的混合激光二极管，以及一种用于制造混合激光二极管的方法。混合激光二极管包括硅层，设置在硅层上的有源图案，以及设置在硅层和有源图案之间的接合层。这里，接合层包括构成布拉格光栅的衍射图案。
授权日期	2011-07-05
申请日期	2008-05-09
专利号	US7974326
专利状态	失效
申请号	US12/118551
公开（公告）号	US7974326
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35584
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ELECTRONICS AND TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE
推荐引用方式 GB/T 7714	LEEM, YOUNG-AHN,KIM, KI-SOO,SONG, JUNG-HO,et al. Hybrid laser diode for single mode operation and method of fabricating the same. US7974326[P]. 2011-07-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US7974326.PDF（771KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文