半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置

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	半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置
其他题名	半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置
	玉石正幸; 香西博; 伊藤嘉之
	2004-03-26
专利权人	シャープ株式会社
公开日期	2004-06-14
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】 1つのサブマウント上に2つのレーザーチップを高い位置精度で、狭いピッチにてボンディングする半導体レーザー装置を製造するための方法および装置を提供する。【解決手段】 2つのチップを中間ステージにおいて外形認識し、位置補正した後にサブマウントにボンディングを行うボンディングステージ上でコレットを電極にしチップに電圧をかけ、それぞれ2つのチップを発光させて発光点データを基に最終位置補正を行いボンディングする。コレットをチップ表面に対して斜めに配置することによって、狭いピッチにて2つのチップをボンディングすることができる。
其他摘要	甲一个基底高的位置精度的两个激光芯片上，以提供用于以窄间距制造用于接合的半导体激光装置的方法和设备。【解决手段】两个芯片和外部的中间阶段的认可，将电压施加到所述芯片和位置校正后在所述焊接台上在夹头电极粘接到基台，两个芯片的由此发射接合进行基于发光点数据校正的最终位置。通过倾斜地放置到芯片表面的夹头，能够以窄间距来粘结两个芯片。
授权日期	2004-03-26
申请日期	2001-05-17
专利号	JP3538602B2
专利状态	授权
申请号	JP2001148083
公开（公告）号	JP3538602B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/02 \| H01S5/00 \| H01S5/022 \| H01L21/68 \| H01L21/67 \| H01L21/52
专利代理人	青山葆 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35413
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	シャープ株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	玉石正幸,香西博,伊藤嘉之. 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置の製造装置. JP3538602B2[P]. 2004-03-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3538602B2.PDF（612KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文