半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器

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	半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器
其他题名	半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器
	吉田順自; 築地直樹; 舟橋政樹
	2005-05-27
专利权人	古河電気工業株式会社
公开日期	2005-08-10
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】ラマン増幅器などの励起用光源に適し、低雑音特性と広いダイナミックレンジとを有し、安定かつ高利得増幅を可能とすること。【解決手段】レーザ光の出射端面に設けた出射側反射膜15と該レーザ光の反射端面に設けた反射膜14との間に形成されたGRIN-SCH-MQW活性層3の近傍であって出射側反射膜15側に回折格子13を設け、回折格子13の結合係数κiと回折格子長Lgとの乗算値を0.3以下に設定する、共振器長Lrと回折格子13の波長選択特性とを含む発振パラメータの組み合わせ設定によって発振波長スペクトルの半値幅内に2本以上の発振縦モードを含むレーザ光を出力する。
其他摘要	要解决的问题：适用于激光光源，如拉曼放大器，具有低噪声特性和宽动态范围，能够稳定和高增益放大。在设置在激光的发射端面上的发射侧反射膜15和设置在激光的反射端面上的反射膜14之间形成的GRIN-SCH-MQW有源层3附近，衍射光栅13设置在发射侧反射膜15侧，并且衍射光栅13的耦合系数κi和衍射晶格长度Lg的倍增值设定为0.3或更小，并且谐振器长度Lr和衍射光栅13的波长选择特性并且根据包括振荡参数的振荡参数的组合设置，在振荡波长谱的半高宽度内输出包括两个或更多个振荡纵向模式的激光。
授权日期	2005-05-27
申请日期	2001-05-01
专利号	JP3682417B2
专利状态	授权
申请号	JP2001134545
公开（公告）号	JP3682417B2
IPC 分类号	H01S5/14 \| H01S3/094 \| H01S3/06 \| H01S3/30 \| H01S3/0941 \| H01S \| H01S5/00 \| H01S5/10 \| G02F \| G02F1/35 \| H01S5/12 \| H01S5/125
专利代理人	酒井宏明
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35407
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	古河電気工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	吉田順自,築地直樹,舟橋政樹. 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器. JP3682417B2[P]. 2005-05-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3682417B2.PDF（203KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文