Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor light-emitting device | |
| 其他题名 | Semiconductor light-emitting device |
| ISHIKAWA, TSUTOMU; KOBAYASHI, HIROHIKO; YAMAMOTO, TSUYOSHI; SHOJI, HAJIME | |
| 2002-07-30 | |
| 专利权人 | FUJITSU LIMITED |
| 公开日期 | 2002-07-30 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | In a semiconductor light-emitting device including an MQW diffraction grating structure mainly used in a gain-coupled DFB laser, the ratio of the gain coupling coefficient to the index coupling coefficient is increased by making each well layer in MQW-A thicker than that in MQW-B. Each well layer and each barrier layer in the MQW structure are made of different compositions of GaInAsP. This implements a semiconductor light-emitting device with high wavelength stability, which does not induce any mode hop even during modulation with high output power or even when external optical feedback is present. |
| 其他摘要 | 在包括主要用于增益耦合DFB激光器的MQW衍射光栅结构的半导体发光器件中，通过使MQW-A中的每个阱层比在中心阱层中的每个阱层厚，增加了增益耦合系数与折射率耦合系数的比率。 MQW-B。 MQW结构中的每个阱层和每个阻挡层由不同的GaInAsP组分制成。这实现了具有高波长稳定性的半导体发光器件，即使在具有高输出功率的调制期间或者甚至在存在外部光学反馈时也不会引起任何模式跳跃。 |
| 授权日期 | 2002-07-30 |
| 申请日期 | 2001-03-30 |
| 专利号 | US6426515 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | US09/820929 |
| 公开（公告）号 | US6426515 |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/12 | H01S5/343 | H01L29/06 | H01L31/072 | H01L31/109 | H01L31/032 | H01L31/033 | H01L31/0328 | H01L31/0336 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | ARMSTRONG,WESTERMAN & HATTORI,LLP |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35402 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LIMITED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ISHIKAWA, TSUTOMU,KOBAYASHI, HIROHIKO,YAMAMOTO, TSUYOSHI,et al. Semiconductor light-emitting device. US6426515[P]. 2002-07-30. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US6426515.PDF（194KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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