Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers

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	Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers
其他题名	Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers
	HALLER, EUGENE E.; BRUNDERMANN, ERIK
	2000-01-04
专利权人	LAWRENCE BERKELEY LABORATORY
公开日期	2000-01-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A method for doping semiconductors used for far infrared lasers with non-hydrogenic acceptors having binding energies larger than the energy of the laser photons. Doping of germanium or silicon crystals with beryllium, zinc or copper. A far infrared laser comprising germanium crystals doped with double or triple acceptor dopants permitting the doped laser to be tuned continuously from 1 to 4 terahertz and to operate in continuous mode. A method for operating semiconductor hole population inversion lasers with a closed cycle refrigerator.
其他摘要	一种掺杂用于远红外激光器的半导体的方法，其具有非氢受体，其结合能大于激光光子的能量。用铍，锌或铜掺杂锗或硅晶体。一种远红外激光器，包括掺杂有双或三受主掺杂剂的锗晶体，允许掺杂的激光器从1到4太赫兹连续调谐并以连续模式操作。一种用闭合循环制冷机操作半导体空穴粒子数反转激光器的方法。
授权日期	2000-01-04
申请日期	1997-04-22
专利号	US6011810
专利状态	失效
申请号	US08/840601
公开（公告）号	US6011810
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/00 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	VERNY, HANA
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35183
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	LAWRENCE BERKELEY LABORATORY
推荐引用方式 GB/T 7714	HALLER, EUGENE E.,BRUNDERMANN, ERIK. Doping of germanium and silicon crystals with non-hydrogenic acceptors for far infrared lasers. US6011810[P]. 2000-01-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6011810.PDF（1702KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文