Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 歐姆電極及其形成方法,以及發光元件 | |
| 其他题名 | 歐姆電極及其形成方法,以及發光元件 |
| 小澤正文; 伊藤哲; 成井二三代 | |
| 1995-02-11 | |
| 专利权人 | 新力股份有限公司 |
| 公开日期 | 1995-02-11 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本發明之目的是實現一種歐姆電極，對Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體具有良好之密性而且接觸電阻係數很低。 本發明之構造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe層２上形成歐姆電極，該歐姆電極由以Pd膜３作為最下層之金屬多層膜來構成。在歐姆電極形成後，依照需要以100～300℃之溫度進行退火。依照這種方式所形成之歐姆電極作為使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體之半導體雷射或發光二極體之ｐ側之歐姆電極。 |
| 其他摘要 | 本發明之目的是實現一種歐姆電極，對Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體具有良好之密性而且接觸電阻係數很低。 本發明之構造是利用真空蒸法在ｐ型ZnTe層２上形成歐姆電極，該歐姆電極由以Pd膜３作為最下層之金屬多層膜來構成。在歐姆電極形成後，依照需要以100～300℃之溫度進行退火。依照這種方式所形成之歐姆電極作為使用有Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體之半導體雷射或發光二極體之ｐ側之歐姆電極。 |
| 申请日期 | 1993-10-20 |
| 专利号 | TW240342B |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW082108721 |
| 公开（公告）号 | TW240342B |
| IPC 分类号 | H01L29/47 | H01L33/40 | H01L33/00 | H01L21/02 | H01L21/28 | H01L21/443 | H01L31/0224 | H01L33/04 | H01L33/28 | H01L33/30 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/327 |
| 专利代理人 | 何金塗 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35029 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小澤正文,伊藤哲,成井二三代. 歐姆電極及其形成方法,以及發光元件. TW240342B[P]. 1995-02-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW240342B.PDF（268KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [小澤正文]的文章 |
| [伊藤哲]的文章 |
| [成井二三代]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [小澤正文]的文章 |
| [伊藤哲]的文章 |
| [成井二三代]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [小澤正文]的文章 |
| [伊藤哲]的文章 |
| [成井二三代]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论