Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 磁気ヘッド及び製造方法 | |
| 其他题名 | 磁気ヘッド及び製造方法 |
| 糟谷 孝幸; 杉浦 聡 | |
| 2018-07-06 | |
| 专利权人 | 株式会社イノバステラ |
| 公开日期 | 2018-07-25 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】光のエネルギーを集中させた微小スポットを効率的に発生させる。 【解決手段】近接場光デバイス(100)は、第1電極層(123)と、第2電極層(121)と、発光層(122)とが積層された光デバイスであって、第1電極層は、(i)発光層における発光に起因したエネルギーを取り出し可能なように、当該光デバイスの積層方向(X軸方向)に交わる交差方向(Y軸方向)に沿って突き出た突起部であって、且つ、(ii)当該突起部の少なくとも一部の端面が、交差方向に沿って第2電極層の端面よりも光デバイスの外部側に位置している突起部(123a)を備える。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 摘要：要解决的问题：有效地产生光能集中的微小光点。解决方案：近场光学装置（100）是层叠第一电极层（123），第二电极层（121）和发光层（122）的光学装置。第一电极层包括（i）在与光学器件的层叠方向（X轴方向）交叉的横向（Y轴方向）上突出的突起（123a），使得由于发光层中的发射而产生的能量可以是取出，并且（ii）突起的至少部分端面位于光学装置的更远的外侧，而不是第二电极层的横向端面。 |
| 申请日期 | 2013-08-06 |
| 专利号 | JP6362309B2 |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | JP2013163331 |
| 公开（公告）号 | JP6362309B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | G11B5/02 | G11B5/31 | G11B7/125 |
| 专利代理人 | 江上 達夫 | 中村 聡延 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34179 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社イノバステラ |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 糟谷 孝幸,杉浦 聡. 磁気ヘッド及び製造方法. JP6362309B2[P]. 2018-07-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP6362309B2.PDF（296KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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