Multi-wavelength semiconductor laser device

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	Multi-wavelength semiconductor laser device
其他题名	Multi-wavelength semiconductor laser device
	TAKAHASHI, YOSHIHIKO; OIKAWA, FUMITAKE
	2015-03-10
专利权人	SONY CORPORATION
公开日期	2015-03-10
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A multi-wavelength semiconductor laser device includes: first and second device sections monolithically formed on a substrate; and a rear end face film formed together on a rear end face of each of the first and second device sections. The first device section is a light-emitting device section having an oscillation wavelength of λ The second device section is a light-emitting device section having an oscillation wavelength of λ2 (λ1<λ2). The rear end face film includes a layer in which N sets (N≧2) of layers each having the combination of a low refractive index layer having a refractive index of n1 and a high refractive index layer having a refractive index of n3 (n1
其他摘要	一种多波长半导体激光器件，包括：单片形成在基板上的第一和第二器件部分;后端面膜一起形成在第一和第二装置部分的每一个的后端面上。第一器件部分是具有λ 1 的振荡波长的发光器件部分。第二器件部分是具有振荡波长λ 2 （λ 1 ＆＃x3c;λ 2 ）的发光器件部分。后端面膜包括其中N组（N≥2）层各自具有折射率n 1 的低折射率层和高折射率层的层的层。折射率n 3 （n 1 ＆＃x3c; n 3 ）作为一组层压，并且具有中间折射率层折射率n 2 （n 1 ＆＃x3c; n 2 ＆＃x3c; n 3 ）从后端面侧依次排列，由与Si膜不同的膜构成。
申请日期	2012-03-15
专利号	US8976832
专利状态	授权
申请号	US13/421260
公开（公告）号	US8976832
IPC 分类号	H01S5/00 \| G11B7/1275 \| H01S5/026 \| H01S5/028 \| H01S5/22 \| H01S5/343 \| H01S5/40
专利代理人	-
代理机构	SHERIDAN ROSS P.C.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/34116
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SONY CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKAHASHI, YOSHIHIKO,OIKAWA, FUMITAKE. Multi-wavelength semiconductor laser device. US8976832[P]. 2015-03-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8976832.PDF（1065KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文